Lateral Heterostructure Field-Effect Transistors Based on Two-Dimensional Material Stacks with Varying Thickness and Energy Filtering Source

  1. Marin, E.G.
  2. Marian, D.
  3. Perucchini, M.
  4. Fiori, G.
  5. Iannaccone, G.
Revista:
ACS Nano

ISSN: 1936-086X,  1936-0851

Año de publicación: 2020

Volumen: 14

Número: 2

Páginas: 1982-1989

Tipo: Artículo

DOI: 10.1021/ACSNANO.9B08489 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
Fuente de los datos: Scopus