Multi-scale modeling of 2D GaSe FETs with strained channels

  1. Toral-Lopez, A.
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Revista:
Nanotechnology

ISSN: 1361-6528,  0957-4484

Año de publicación: 2022

Volumen: 33

Número: 10

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/1361-6528/AC3CE2 GOOGLE SCHOLAR
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