Random Dopant-Induced Variability in Si-InAs Nanowire Tunnel FETs: A Quantum Transport Simulation Study

  1. Carrillo-Nunez, H.
  2. Lee, J.
  3. Berrada, S.
  4. Medina-Bailon, C.
  5. Adamu-Lema, F.
  6. Luisier, M.
  7. Asenov, A.
  8. Georgiev, V.P.
Revista:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Año de publicación: 2018

Volumen: 39

Número: 9

Páginas: 1473-1476

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/LED.2018.2859586 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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