Does carrier velocity saturation help to enhance: F maxin graphene field-effect transistors?

  1. Feijoo, P.C.
  2. Pasadas, F.
  3. Bonmann, M.
  4. Asad, M.
  5. Yang, X.
  6. Generalov, A.
  7. Vorobiev, A.
  8. Banszerus, L.
  9. Stampfer, C.
  10. Otto, M.
  11. Neumaier, D.
  12. Stake, J.
  13. Jiménez, D.
Revista:
Nanoscale Advances

ISSN: 2516-0230

Any de publicació: 2020

Volum: 2

Número: 9

Pàgines: 4179-4186

Tipus: Article

DOI: 10.1039/C9NA00733D GOOGLE SCHOLAR lock_openAccés obert editor
Font de les dades: Scopus