Does carrier velocity saturation help to enhance: F maxin graphene field-effect transistors?

  1. Feijoo, P.C.
  2. Pasadas, F.
  3. Bonmann, M.
  4. Asad, M.
  5. Yang, X.
  6. Generalov, A.
  7. Vorobiev, A.
  8. Banszerus, L.
  9. Stampfer, C.
  10. Otto, M.
  11. Neumaier, D.
  12. Stake, J.
  13. Jiménez, D.
Revista:
Nanoscale Advances

ISSN: 2516-0230

Ano de publicación: 2020

Volume: 2

Número: 9

Páxinas: 4179-4186

Tipo: Artigo

DOI: 10.1039/C9NA00733D GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso aberto editor
Fonte de datos: Scopus