Variability in HfO2-based memristors described with a new bidimensional statistical technique

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Revista:
Nanoscale

ISSN: 2040-3372,  2040-3364

Año de publicación: 2024

Volumen: 16

Número: 22

Páginas: 10812-10818

Tipo: Artículo

DOI: 10.1039/D4NR01237B GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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