Nanoestructuras, propiedades cuánticas y aplicaciones tecnológicas
NANOQUANTEC
Vienna University of Technology
Viena, AustriaPublicaciones en colaboración con investigadores/as de Vienna University of Technology (2)
2015
2001
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Improving strained-Si on Si 1-xGe x deep submicron MOSFETs performance by means of a stepped doping profile
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 48, Núm. 9, pp. 1878-1884