Electron mobility in double gate silicon on insulator transistors: Symmetric-gate versus asymmetric-gate configuration
ISSN: 0021-8979
Any de publicació: 2003
Volum: 94
Número: 9
Pàgines: 5732-5741
Tipus: Article
ISSN: 0021-8979
Any de publicació: 2003
Volum: 94
Número: 9
Pàgines: 5732-5741
Tipus: Article