Electron mobility in double gate silicon on insulator transistors: Symmetric-gate versus asymmetric-gate configuration
ISSN: 0021-8979
Datum der Publikation: 2003
Ausgabe: 94
Nummer: 9
Seiten: 5732-5741
Art: Artikel
ISSN: 0021-8979
Datum der Publikation: 2003
Ausgabe: 94
Nummer: 9
Seiten: 5732-5741
Art: Artikel