Electron mobility in double gate silicon on insulator transistors: Symmetric-gate versus asymmetric-gate configuration
ISSN: 0021-8979
Ano de publicación: 2003
Volume: 94
Número: 9
Páxinas: 5732-5741
Tipo: Artigo
ISSN: 0021-8979
Ano de publicación: 2003
Volume: 94
Número: 9
Páxinas: 5732-5741
Tipo: Artigo