Strained-Si on Si1-xGex MOSFET mobility model

  1. Roldán, J.B.
  2. Gámiz, F.
  3. Cartujo-Cassinello, P.
  4. Cartujo, P.
  5. Carceller, J.E.
  6. Roldan, A.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Any de publicació: 2003

Volum: 50

Número: 5

Pàgines: 1408-1411

Tipus: Article

DOI: 10.1109/TED.2003.813471 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus