Strained-Si on Si1-xGex MOSFET mobility model

  1. Roldán, J.B.
  2. Gámiz, F.
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  4. Cartujo, P.
  5. Carceller, J.E.
  6. Roldan, A.
Revue:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Année de publication: 2003

Volumen: 50

Número: 5

Pages: 1408-1411

Type: Article

DOI: 10.1109/TED.2003.813471 GOOGLE SCHOLAR

Objectifs de Développement Durable

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