Modeling effects of electron-velocity overshoot in a MOSFET

  1. Roldán, J.B.
  2. Gámiz, F.
  3. López-Villanueva, J.A.
  4. Carceller, J.E.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Any de publicació: 1997

Volum: 44

Número: 5

Pàgines: 841-846

Tipus: Article

DOI: 10.1109/16.568047 GOOGLE SCHOLAR

Objectius de Desenvolupament Sostenible

Font de les dades: Scopus