Modeling effects of electron-velocity overshoot in a MOSFET

  1. Roldán, J.B.
  2. Gámiz, F.
  3. López-Villanueva, J.A.
  4. Carceller, J.E.
Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Datum der Publikation: 1997

Ausgabe: 44

Nummer: 5

Seiten: 841-846

Art: Artikel

DOI: 10.1109/16.568047 GOOGLE SCHOLAR

Ziele für nachhaltige Entwicklung

Datenquelle: Scopus