Characteristics of band modulation FET on sub 10 nm SOI

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Revista:
Japanese Journal of Applied Physics

ISSN: 1347-4065,  0021-4922

Año de publicación: 2019

Volumen: 58

Número: SB

Tipo: Artículo

DOI: 10.7567/1347-4065/AAFC9F GOOGLE SCHOLAR
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