Gate Leakage Tunneling Impact on the InAs/GaSb Heterojunction Electron-Hole Bilayer Tunneling Field-Effect Transistor

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Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Año de publicación: 2018

Volumen: 65

Número: 10

Páginas: 4679-4686

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TED.2018.2866123 GOOGLE SCHOLAR
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