Modeling the channel charge and potential in quasi-ballistic nanoscale double-gate MOSFETs

  1. Mangla, A.
  2. Sallese, J.-M.
  3. Sampedro, C.
  4. Gamiz, F.
  5. Enz, C.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Año de publicación: 2014

Volumen: 61

Número: 8

Páginas: 2640-2646

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TED.2014.2327255 GOOGLE SCHOLAR
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