Analytical gate capacitance modeling of III-V nanowire transistors

  1. Marin, E.G.
  2. Ruiz, F.J.G.
  3. Tienda-Luna, I.M.
  4. Godoy, A.
  5. Gámiz, F.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Any de publicació: 2013

Volum: 60

Número: 5

Pàgines: 1590-1599

Tipus: Article

DOI: 10.1109/TED.2013.2250288 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus