Analytical gate capacitance modeling of III-V nanowire transistors

  1. Marin, E.G.
  2. Ruiz, F.J.G.
  3. Tienda-Luna, I.M.
  4. Godoy, A.
  5. Gámiz, F.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Ano de publicación: 2013

Volume: 60

Número: 5

Páxinas: 1590-1599

Tipo: Artigo

DOI: 10.1109/TED.2013.2250288 GOOGLE SCHOLAR
Fonte de datos: Scopus