Analytical gate capacitance modeling of III-V nanowire transistors

  1. Marin, E.G.
  2. Ruiz, F.J.G.
  3. Tienda-Luna, I.M.
  4. Godoy, A.
  5. Gámiz, F.
Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Datum der Publikation: 2013

Ausgabe: 60

Nummer: 5

Seiten: 1590-1599

Art: Artikel

DOI: 10.1109/TED.2013.2250288 GOOGLE SCHOLAR
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