The quantization impact of accumulated carriers in silicide-gated MOSFETs

  1. Rodriguez, N.
  2. Gamiz, F.
  3. Clerc, R.
  4. Ghibaudo, G.
  5. Cristoloveanu, S.
Revista:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Any de publicació: 2008

Volum: 29

Número: 6

Pàgines: 628-631

Tipus: Article

DOI: 10.1109/LED.2008.921209 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus