The quantization impact of accumulated carriers in silicide-gated MOSFETs

  1. Rodriguez, N.
  2. Gamiz, F.
  3. Clerc, R.
  4. Ghibaudo, G.
  5. Cristoloveanu, S.
Zeitschrift:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Datum der Publikation: 2008

Ausgabe: 29

Nummer: 6

Seiten: 628-631

Art: Artikel

DOI: 10.1109/LED.2008.921209 GOOGLE SCHOLAR
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