Evidence for mobility enhancement in double-gate silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

  1. Rodriguez, N.
  2. Cristoloveanu, S.
  3. Gámiz, F.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 2007

Volumen: 102

Número: 8

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.2800194 GOOGLE SCHOLAR