Evidence for mobility enhancement in double-gate silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
- Rodriguez, N.
- Cristoloveanu, S.
- Gámiz, F.
Revista:
Journal of Applied Physics
ISSN: 0021-8979
Año de publicación: 2007
Volumen: 102
Número: 8
Tipo: Artículo