Modeling of inversion layer centroid and polysilicon depletion effects on ultrathin-gate-oxide mOSFET behavior: The influence of crystallographic orientation

  1. Rodriguez, N.
  2. Gámiz, F.
  3. Roldán, J.B.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Any de publicació: 2007

Volum: 54

Número: 4

Pàgines: 723-732

Tipus: Article

DOI: 10.1109/TED.2007.891854 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus