Modeling of inversion layer centroid and polysilicon depletion effects on ultrathin-gate-oxide mOSFET behavior: The influence of crystallographic orientation

  1. Rodriguez, N.
  2. Gámiz, F.
  3. Roldán, J.B.
Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Datum der Publikation: 2007

Ausgabe: 54

Nummer: 4

Seiten: 723-732

Art: Artikel

DOI: 10.1109/TED.2007.891854 GOOGLE SCHOLAR
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