Gate bias symmetry dependency of electron mobility and prospect of velocity modulation in double-gate silicon-on-insulator transistors

  1. Prunnila, M.
  2. Ahopelto, J.
  3. Henttinen, K.
  4. Gamiz, F.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 2004

Volumen: 85

Número: 22

Páginas: 5442-5444

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.1829384 GOOGLE SCHOLAR
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