A comprehensive study of velocity overshoot effects in double gate silicon on insulator transistors

  1. Gámiz, F.
Aldizkaria:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Argitalpen urtea: 2004

Alea: 19

Zenbakia: 3

Orrialdeak: 393-398

Mota: Artikulua

DOI: 10.1088/0268-1242/19/3/017 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus