A comprehensive study of velocity overshoot effects in double gate silicon on insulator transistors

  1. Gámiz, F.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Ano de publicación: 2004

Volume: 19

Número: 3

Páxinas: 393-398

Tipo: Artigo

DOI: 10.1088/0268-1242/19/3/017 GOOGLE SCHOLAR
Fonte de datos: Scopus