Electron mobility in quantized β-SiC inversion layers

  1. Gámiz, F.
  2. Roldán, J.B.
  3. López-Villanueva, J.A.
  4. Cartujo, P.
Revista:
Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

ISSN: 1071-1023

Año de publicación: 1998

Volumen: 16

Número: 3

Páginas: 1631-1633

Tipo: Artículo

DOI: 10.1116/1.589951 GOOGLE SCHOLAR
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