Accurate calculation of gate tunneling current in double-gate and single-gate SOI MOSFETs through gate dielectric stacks

  1. Chaves, F.A.
  2. Jiménez, D.
  3. García Ruiz, F.J.
  4. Godoy, A.
  5. Suñé, J.
Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Datum der Publikation: 2012

Ausgabe: 59

Nummer: 10

Seiten: 2589-2596

Art: Artikel

DOI: 10.1109/TED.2012.2206597 GOOGLE SCHOLAR
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