Effects of gate oxide and junction nonuniformity on the DC and low-frequency noise performance of four-gate transistors

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Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Año de publicación: 2012

Volumen: 59

Número: 2

Páginas: 459-467

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TED.2011.2176494 GOOGLE SCHOLAR
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