A model for the generation recombination noise in junction field effect structures: Application to four-gate transistors

  1. Jiménez Tejada, J.A.
  2. Rodríguez, A.L.
  3. Godoy, A.
Actas:
AIP Conference Proceedings

ISSN: 0094-243X,  1551-7616

ISBN: 9780735404328

Año de publicación: 2007

Volumen: 922

Páginas: 105-110

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1063/1.2759646 GOOGLE SCHOLAR
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