A New Holistic Model of 2-D Semiconductor FETs

  1. Marin, E.G.
  2. Bader, S.J.
  3. Jena, D.
Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Datum der Publikation: 2018

Ausgabe: 65

Nummer: 3

Seiten: 1239-1245

Art: Artikel

DOI: 10.1109/TED.2018.2797172 GOOGLE SCHOLAR lock_openOpen Access editor
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