A New Holistic Model of 2-D Semiconductor FETs

  1. Marin, E.G.
  2. Bader, S.J.
  3. Jena, D.
Aldizkaria:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Argitalpen urtea: 2018

Alea: 65

Zenbakia: 3

Orrialdeak: 1239-1245

Mota: Artikulua

DOI: 10.1109/TED.2018.2797172 GOOGLE SCHOLAR lock_openSarbide irekia editor
Datuen iturria: Scopus