A New Holistic Model of 2-D Semiconductor FETs

  1. Marin, E.G.
  2. Bader, S.J.
  3. Jena, D.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Ano de publicación: 2018

Volume: 65

Número: 3

Páxinas: 1239-1245

Tipo: Artigo

DOI: 10.1109/TED.2018.2797172 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso aberto editor
Fonte de datos: Scopus