Electron mobility in double gate silicon on insulator transistors: Symmetric-gate versus asymmetric-gate configuration
ISSN: 0021-8979
Año de publicación: 2003
Volumen: 94
Número: 9
Páginas: 5732-5741
Tipo: Artículo
ISSN: 0021-8979
Año de publicación: 2003
Volumen: 94
Número: 9
Páginas: 5732-5741
Tipo: Artículo