Electron mobility in double gate silicon on insulator transistors: Symmetric-gate versus asymmetric-gate configuration

  1. Gámiz, F.
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  5. Carceller, J.E.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 2003

Volumen: 94

Número: 9

Páginas: 5732-5741

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.1615706 GOOGLE SCHOLAR