Effect of polysilicon depletion charge on electron mobility in ultrathin oxide MOSFETs

  1. Gámiz, F.
  2. Godoy, A.
  3. Roldán, J.B.
  4. Carceller, J.E.
  5. Cartujo, P.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Any de publicació: 2003

Volum: 18

Número: 11

Pàgines: 927-937

Tipus: Article

DOI: 10.1088/0268-1242/18/11/304 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus