Effect of polysilicon depletion charge on electron mobility in ultrathin oxide MOSFETs

  1. Gámiz, F.
  2. Godoy, A.
  3. Roldán, J.B.
  4. Carceller, J.E.
  5. Cartujo, P.
Zeitschrift:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Datum der Publikation: 2003

Ausgabe: 18

Nummer: 11

Seiten: 927-937

Art: Artikel

DOI: 10.1088/0268-1242/18/11/304 GOOGLE SCHOLAR
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