Influence of image force and many-body correction on electron mobility in ultrathin double gate silicon on insulator inversion layers
ISSN: 0003-6951
Any de publicació: 2003
Volum: 83
Número: 15
Pàgines: 3120-3122
Tipus: Article
ISSN: 0003-6951
Any de publicació: 2003
Volum: 83
Número: 15
Pàgines: 3120-3122
Tipus: Article