Influence of image force and many-body correction on electron mobility in ultrathin double gate silicon on insulator inversion layers
ISSN: 0003-6951
Ano de publicación: 2003
Volume: 83
Número: 15
Páxinas: 3120-3122
Tipo: Artigo
ISSN: 0003-6951
Ano de publicación: 2003
Volume: 83
Número: 15
Páxinas: 3120-3122
Tipo: Artigo