Influence of image force and many-body correction on electron mobility in ultrathin double gate silicon on insulator inversion layers

  1. Gámiz, F.
  2. Cartujo-Cassinello, P.
  3. Jiménez-Molinos, F.
  4. Carceller, J.E.
  5. Cartujo, P.
Zeitschrift:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Datum der Publikation: 2003

Ausgabe: 83

Nummer: 15

Seiten: 3120-3122

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.1619217 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus