Strained-Si on Si1-xGex MOSFET mobility model

  1. Roldán, J.B.
  2. Gámiz, F.
  3. Cartujo-Cassinello, P.
  4. Cartujo, P.
  5. Carceller, J.E.
  6. Roldan, A.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Año de publicación: 2003

Volumen: 50

Número: 5

Páginas: 1408-1411

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TED.2003.813471 GOOGLE SCHOLAR
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