Influence of technological parameters on the behavior of the hole effective mass in SiGe structures

  1. Rodríguez, S.
  2. Gámiz, F.
  3. Palma, A.
  4. Cartujo, P.
  5. Carceller, J.E.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Any de publicació: 2000

Volum: 88

Número: 4

Pàgines: 1978-1982

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.1304839 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus