Influence of technological parameters on the behavior of the hole effective mass in SiGe structures

  1. Rodríguez, S.
  2. Gámiz, F.
  3. Palma, A.
  4. Cartujo, P.
  5. Carceller, J.E.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 2000

Ausgabe: 88

Nummer: 4

Seiten: 1978-1982

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.1304839 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus