Influence of technological parameters on the behavior of the hole effective mass in SiGe structures

  1. Rodríguez, S.
  2. Gámiz, F.
  3. Palma, A.
  4. Cartujo, P.
  5. Carceller, J.E.
Aldizkaria:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Argitalpen urtea: 2000

Alea: 88

Zenbakia: 4

Orrialdeak: 1978-1982

Mota: Artikulua

DOI: 10.1063/1.1304839 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus