Influence of technological parameters on the behavior of the hole effective mass in SiGe structures

  1. Rodríguez, S.
  2. Gámiz, F.
  3. Palma, A.
  4. Cartujo, P.
  5. Carceller, J.E.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Ano de publicación: 2000

Volume: 88

Número: 4

Páxinas: 1978-1982

Tipo: Artigo

DOI: 10.1063/1.1304839 GOOGLE SCHOLAR
Fonte de datos: Scopus