Modeling effects of electron-velocity overshoot in a MOSFET

  1. Roldán, J.B.
  2. Gámiz, F.
  3. López-Villanueva, J.A.
  4. Carceller, J.E.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Año de publicación: 1997

Volumen: 44

Número: 5

Páginas: 841-846

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/16.568047 GOOGLE SCHOLAR

Objetivos de desarrollo sostenible

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