A Monte Carlo study on the electron-transport properties of high-performance strained-Si on relaxed Si1-xGex channel MOSFETs
ISSN: 0021-8979
Any de publicació: 1996
Volum: 80
Número: 9
Pàgines: 5121-5128
Tipus: Article
ISSN: 0021-8979
Any de publicació: 1996
Volum: 80
Número: 9
Pàgines: 5121-5128
Tipus: Article