A Monte Carlo study on the electron-transport properties of high-performance strained-Si on relaxed Si1-xGex channel MOSFETs
ISSN: 0021-8979
Ano de publicación: 1996
Volume: 80
Número: 9
Páxinas: 5121-5128
Tipo: Artigo
ISSN: 0021-8979
Ano de publicación: 1996
Volume: 80
Número: 9
Páxinas: 5121-5128
Tipo: Artigo