A Monte Carlo study on the electron-transport properties of high-performance strained-Si on relaxed Si1-xGex channel MOSFETs
ISSN: 0021-8979
Argitalpen urtea: 1996
Alea: 80
Zenbakia: 9
Orrialdeak: 5121-5128
Mota: Artikulua
ISSN: 0021-8979
Argitalpen urtea: 1996
Alea: 80
Zenbakia: 9
Orrialdeak: 5121-5128
Mota: Artikulua